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三星東芝研發3D V-NAND，英特爾美光發表3D XPoint

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記憶體進入10奈米，製程已達物理極限，國際大廠全力布局次世代記憶體，目前主流最易達商業量產的3D V-NAND，包括三星、SK海力士、東芝╱SanDisk均積極研發，且可小量生產。英特爾╱美光今年發表3D XPoint架構，革命性發展嚇壞眾家對手，未來1、2年後市場將爆發，記憶體另一波大戰已隱然成型。

完整新聞：
[url]http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20150912/36774103/[/url]

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DRAMeXchange研究協理楊文得報告中分析，三星3D-NAND Flash憑藉較佳性價比，在主要電腦代工業者的Client-SSD供應鏈中獲得多數訂單，迫使其他業者降價競爭，加速3D-NAND Flash的開發及推出時程，最快在今年第4季至明年第1季中前送樣測試，3D-NAND Flash的比重將首次突破10%。

但是英特爾、美光於7月29日宣布開發出新世代技術「[b][color=Blue]3D XPoint[/color][/b]」，[color=Red]儲存資料比DRAM高出10倍，讀寫速度與耐受度更是NAND Flash的1000倍[/color]，如此革新技術讓三星、SK海力士大為緊張。
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撇除上市後的價格先不論，但就規格來看... 3D XPoint 技術超令人心動的啊~ {嘿嘿}