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三星東芝研發3D V-NAND,英特爾美光發表3D XPoint

三星東芝研發3D V-NAND,英特爾美光發表3D XPoint



記憶體進入10奈米,製程已達物理極限,國際大廠全力布局次世代記憶體,目前主流最易達商業量產的3D V-NAND,包括三星、SK海力士、東芝╱SanDisk均積極研發,且可小量生產。英特爾╱美光今年發表3D XPoint架構,革命性發展嚇壞眾家對手,未來1、2年後市場將爆發,記憶體另一波大戰已隱然成型。

完整新聞:
http://www.appledaily.com.tw/app ... /20150912/36774103/

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DRAMeXchange研究協理楊文得報告中分析,三星3D-NAND Flash憑藉較佳性價比,在主要電腦代工業者的Client-SSD供應鏈中獲得多數訂單,迫使其他業者降價競爭,加速3D-NAND Flash的開發及推出時程,最快在今年第4季至明年第1季中前送樣測試,3D-NAND Flash的比重將首次突破10%。

但是英特爾、美光於7月29日宣布開發出新世代技術「3D XPoint」,儲存資料比DRAM高出10倍,讀寫速度與耐受度更是NAND Flash的1000倍,如此革新技術讓三星、SK海力士大為緊張。
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撇除上市後的價格先不論,但就規格來看... 3D XPoint 技術超令人心動的啊~

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